ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ
ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ И СПРАВОЧНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР
Москва
УДК 621.382.3.012(083.74) Группа Э20
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ
Перечень основных и справочных электрических параметров
Transistors List of basic and reference electrical parameters
Постановлением Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР от 12/1 1970 г. № 28 срок введения установлен
с 1/V11 1970 г.
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.
Основные параметры контролирует «ли гарантирует предприятие-изготовитель.
Справочные параметры вместе с основными используются при разработке и расчетах радиотехнических схем и включаются в каталоги и справочники.
Вольтамперные и другие характеристики относятся к справочным данным и приведены в справочном приложении 1, наименования основных и справочных параметров даны в справочном приложении 2.
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).
2. Основные и справочные параметры транзисторов должны соответствовать указанным в таблице.
Классы транзисторов |
Параметры |
Основные |
I Справочные |
Транзисторы малой мощности (Рт&х^0уЗВпг) низкой частоты (/г<3 МГц) |
/ с во; ^2ie; (hus);
/т (fh2lb)i F*\ Р Стах,
Псе maxi Пев max,’ Jcmaxi tjmaz |
U(L)**cEOt fees; Ifbo; hi2b (h\2e); fl22b (fl22e)i hub (hue); Rth Я BEmaxj HBEmax* IcMmaxl Pm max» lamb min |
Издание официальное |
|
Перепечатка воспрещена |
|
* Переиздание (апрель 1972 г.) с изменением М lt принятым в феврале 1971 г |
Транзисторы малой мощности (Ртвх^О.ЗВт) средней частоты (3 МГц<{т<30 МГц)
Транзисторы малой
МОЩНОСТИ (Pmax^0,3fi/n)
высокой частоты
(Э0 МГц<[т<300 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<PШах<
<1,5 Вт)
и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) низкой частоты (7т <3 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Вт<Ршах<
<1,5 Вт)
н большой мощности (Ртах>1,5 Вт) средней частоты
(3 МГц<! Т<30 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<Pтах<
<1,5 Вт)
и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) высокой частоты
(30 МГц<}г <300 мгч)
I с во’, с (h2\t:)\
F*; /г (fhub); Сс;
Гь Ь- Рст ах/
UС вшах! &СЕшах! /стах» ^jmax
/ело; hzu; fr ifk2ib); F\ Cel fь г>- Cc; Pcmax» Ucnmaxl UcETa&xl /стах? Tjmax
/сво; haEi fr (fhzib); Pcmaxi ^евтах,"
Ucjsmax; t^BEmax) /стах» ^jmax
/сво» /ево»
/т (fri21b)» PcmaxJ UcbtqbxI t^CEmax; Vbe-oxах» /стах,*
/углах
IcBOl El fr (ff}2ib)l Pc max? (/евтах,* /стах» ^‘max
U(L)**ceo1 IcbsI IeboI
Re (hue); Уце; Yvie;
\Ynel; В;
Rib jal R в cm ах»
/елгтах; Рмmax,* famb min
V(L)**csol Icbs;
/ebo; |/t21e(;
Pe (hnc)l Re (Yad ^220 Г12е> Tile); /^ (Tile, У22с,
Ъг* У«0;
Ptfc ja; Рве max»
f/вЕтах; /емтах»
P Mmai,' /ambtnla
U(L)**ceoJ Icbs; /ebo; Р<Л ja; Pfft jC; Рвктах» /емтах» Рмтах,* UebU* iamb min
L^(L)**ceo; Icbs;
Re (h\\e); У21Е;
Гь b * Cel Cel Rth jaJ
Rth jel (JsEsat; Rbemax» Iceat max» /cAfmax,4 ^EB /ij
Pouf» Pm max/ /ambmiu
U(L)**ceo; Icbs; i ь ь • cc; Cel
Re (YMe, Y'lle, Ti2r, Y%\e); /»П (Ymc, Yz2e* Yi2c, Y2ie)l I EBO; tal U BEaatl U EBfll
Rbe max» ICsatmaxl /гмта±; Poutl Pm max»
tamb min
* Параметр относится только к транзисторам с низким уровнем шумов.
** Для ранее разработанных транзисторов допускается использовать параметр V а .
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).
3. Для переключающих транзисторов, кроме параметров, указанных в таблице, основными являются ton* t/fiEsat * f/cEtat
СПраВОЧНЫМИ (JCEMmax* Rth jcMi toff'
Вольтамперные и другие характеристики параметров транзисторов
Транзисторы малой мощности (Рта*<0,3 Вт) низкой частоты (fr <3 МГц)
Транзисторы малой мощности (/W<0,3 ^средней частоты ч
(3 МГц<}т<Ы ТА Гц) высокой частоты ч
(30 МГц<Ь<М0 МГц)
htiE ~ / (7е) при Осе — const 7с * / при /в *= const
О BE «/ f/jO При f/cj? = const 7 с во « f (tj) при f/св - const UcEta&x = f (Rbjs) При /с = const
/*шах = f (^amb)
Jim (frc =* var)
Аш f£/<7 “ const) Ащ (7c «= var) hiki (7c “ const) Ащ (tj * var)
при /c; f; f j = const при f/c; fi ^ — const
Лш const)' при ^ ftIc - const
/?tA jcM ■= f (параметры импульса)
7с=*1(С/се) при Г в ~ const U СЕТЬ ах — / (Яве,) при Ic = const f/BВ ~ f (7в) при Uce =* const 7CBO=*f (h) При Ucb « const A2ie *» f (7e) при f/св ** const
max “ f (t amb)
Yiki (77c ** var) _ . ,
Кш (Uc = const) при /c; - const
Уш (7c “ var) п г j i
-7~17(/с-ТоЪ1)при Л ft -const
Ущ (f ° var) Уш ([—const) Ущ (tj =» var) Kifci <7,=const)
- при f/c; /с; ^ — const при Uc\ 7cl f = const
Стр, 4
Продолжение |
Классы транзисторов |
Характеристики |
Транзисторы средней (0,3 Bm<Pmax^\,5 Вт) и большой (Рт&х>\,Ь Вт) МОЩНОСТИ |
Ic = f (UCe) при 1в = const lc = f прк Iв =■ const для малых токов к напряжений (начальные участки вольтамперных выходных характеристик)
Ube — f (Iв) при Uсе — const Ic В О = / (tj) при U СВ — const UcEm&x = f (Rbe) При Ic = COnst ^Cmax — / (tamb)
hziE = f (Ic) при Uce = const UcEaat = f (Ks) ПрИ Ic = Const |
|
Примечание, hiki— параметры четырехполюсника при холостом ходе на
входных зажимах и коротком замыкании на выходных зажимах;
(Измененная № 2 1971 г.).
Yihi— параметры четырехполюсника при коротком замыкании, где i — входной электрод, k выходной электрод, / — общий электрод.
редакция — «Информ. указатель стандартов»
Стр. 5
Наименования буквенных обозначений электрических параметров
транзисторов
Буквенные
обозначения |
Наименования |
7 сво 1ево
1С В8
d CE&at |
Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Начальный ток коллектора
Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения |
Иввлаг U (L)cEO |
Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения
Напряжение между коллектором и эмиттером при пулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
Rth ja |
Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — окружающая среда) |
Rtk jc
Rth jcM
fhltb
fr
hne |
Тепловое сопротивление транзистора (переход — корпус)
Тепловое сопротивление транзистора в импульсном режиме
Предельная частота коэффициента передачи тока
Граничная частота коэффициента передачи тока
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером |
hut |
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в скеме с общей базой |
Re (hiie) hize |
Активная составляющая полного входного сопротивления
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером |
hizb |
Коэффициент обратной связи по напряжению в режима малого сигнала в схеме с общей базой |
hzie |
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
Стр. 6
Продолжение |
Буквенные
обозначения |
Наименования |
)Уш\ |
Модуль проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
1/121,1 |
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером |
ft 22 Ь |
Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общей базой |
^21 Е |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала |
Ухи |
Полная входная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
Уги |
Полная выходная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
У\и |
Полная проводимость обратной передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
Y%u |
Полная проводимость прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
Уг IE |
Статическая крутизна прямой передачи от входа на выход транзистора |
t ьь Сс |
Сопротивление базы Емкость коллекторного перехода |
t Ь Ь Ос |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой чао тоте |
с. |
Емкость эмиттерного перехода |
F |
Коэффициент шума |
и |
Время рассасывания |
^оп |
Время включения |
toff |
Время выключения |
к, |
Коэффициент насыщения (степень насыщения) |
|
Максимальное внешнее сопротивление между базой и эмиттером |
0 вЕтпах |
Максимально допустимое напряжение между эмиттером и базой |
0 СВmax |
Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой |
|
Стр. 7 |
|
Продолжение |
Буквенные
обозначения |
Наименования |
U СЕтаах |
Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером |
7 стах Icaatm ах |
Максимально допустимый ток коллектора
Максимально допустимый ток коллектора в режиме насыщения |
Р стах /jmax tamb min UCSM max |
Максимально допустимая мощность на коллекторе
Максимально допустимая температура перехода
Минимально допустимая температура окружающей среды
Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером |
IcM max -Pat max P out
Uebji |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора Максимально допустимая импульсная мощность Выходная мощность транзистора на заданной частоте Плавающий потенциал эмиттер — база |
|
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).