ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
ГОСТ 17021-88 JCT СЭВ 1623—79J
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва
УДК 001.4 : 621.3.049.75—181.4:006.354 Группа ЭОО
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗ А С С Р
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины и определения
ОКСТУ 620!
Дата введения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий интегральных микросхем.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
2.3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.
Издание официальное Перепечатка аоспрещеиа
© Издательство стандартов, 1988
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.
Таблица 1
1 Интегральная микросхема
D. Integrierter Schaltkreis
E. Integrated microcircuit
F. Microcircuit integre
Определение
Микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой таким образом, что с точки зрения технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство рассматривается как целое.
2. Элемент интегральной микросхемы
Элемент
D. Element des integ-rierten Schaltkreises
E. Circuit element
F. Element de circuit
Примечание Под микросхемой понимают микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обычной схемы
3 Компонент интегральной микросхемы
Компонент
D. Bauelement des in-tegrierten Schaltkreises
E. Circuit component
F. Composant de circuit
4. Полупроводниковая интегральная микросхема Полупроводниковая микросхема
Ндп. Твердая схема
D. Integrierter Halbleiterschaltkreis
E. Semiconductor integrated circuit
F. Circuit int£gr6 h semiconducteurs
5. Пленочная интегральная микросхема Пленочная микросхема D. Integrierter
Filmschaltkreis
Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке,, поставке и эксплуатации Примечание. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.
Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадноэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации
Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала
Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок.
Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными
E. Film integrated circuit
F. Circuit integre h couches
6. Гибридная интегральная микросхема Гибридная микросхема
D. Integrierter Hybridschaltkreis
E. Hybrid integrated circuit
F. Circuit integre hybride
7. Аналоговая интегральная микросхема Аналоговая микросхема
D. Analoger integrierter Schaltkreis
E. Analogue integrated circuit
F. Circuit integr6 analogique
8. Цифровая интегральная микросхема Цифровая микросхема Ндп. Логическая микросхема
D. Digitaler integrierter Schaltkreis
E. Digital integrated circuit
F. Circuit int6gre digitaux
9. Корпус интегральной микросхемы
Корпус
D. Schaltkreisgohause
E. Package
F. Boitier
10. Подложка интегральной микросхемы Подложка
D. Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise
E. Substrate
F. Substrat
11. Полупроводниковая пластина Пластина
D. Halbleiterscheibe
Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы
Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции
Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов
Заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок
Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
Продолжение табл. 1
12 Кристалл интегральной микросхемы
Кристалл
D Chip des integnerten Schaltkreises E Chip F Pastille
13 Базовый кристалл интегральной микросхемы
Базовый кристалл
Определение
Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки
14 Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы
БМК
15 Базовая ячейка кристалла интегральной микросхемы
Базовая ячейка
Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления межэлементных соединений
Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением базовых ячеек
Совокупность несоединенных и (или) соединенных между собой элементов, являющаяся основой для построения базового кристалла интегральной микросхемы
16 Функциональная ячейка базового кристалла интегральной микросхемы
Функциональная ячейка
17 Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы
Библиотека функциональных ячеек
Примечание Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И—НЕ (ИЛИ — НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы
Совокупность элементов базового кристалла интегральной микросхемы, электрически соединенных в пределах одной или нескольких базовых ячеек для реализации одной или нескольких самостоятельных функций
Совокупность документов, содержащих перечень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, их основные электрические параметры, топологическое описание и логические модели
18 Контактная площадка интегральной микросхемы
Контактная площадка D Kontaktflache des mlegnerten Schalt-kreiscs
Примечание Информация о функциональных ячейках может содержаться на машинных носителях
Металлизированный участок на подложке криста тле или корпусе интегральной микросхемы, сл>-жащин для присоединения выводов компонентов и криста члов, перемычек а также для контроля ее электрических параметров и режимов
|
Продолжение табл. I |
|
Термин |
Определение |
|
19 Бсскорпусная интегральная микросхема
Бескорпусная микросхема
L). Gehauseloser inte- |
Кристалл интегральной микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку |
|
grierter Schaltkreis 20 Вывод бескорпусной интегральной микросхемы
Вывод
D Anschluss des ge-hausclosen integ-rierten Schaltkreises
E. Terminal
F. Borne |
Провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями |
|
21. Свободный вывод интегральной микросхемы
Свободный вывод
E. Blank terminal
F. Borne non connects |
Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорного контакта для внешнего монтажа, не влияя на работу интегральной схемы |
|
22. Неиспользуемый вывод интегральной микросхемы
Неиспользуемый вывод
E. Non-usable terminal
F. Borne non utilisee |
Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла |
|
23. Плотность упаковки интегральной микросхемы
Плотность упаковки D. Packungsdichte des integrierten Schaltkreises
24. Степень интеграции интегральной микросхемы
Степень интеграции D. Intcgrationsgrad des integrierten Schaltkreises |
Отношение суммы элементов интегральной микросхемы и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему интегральной микросхемы.
Примечание. Объем выводов не учитывают
Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов
Примечание. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле:
K = /g N,
где К — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; |
|
|
|
Продолжение табл. 1 |
|
Термин |
Определение |
|
25 Интегральная микросхема К степени интеграции |
N — число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему Интегральная микросхема, содержащая от 10к“' до 1Эк элементов и (или) компонентов включительно
Примечание В настоящее время существуют интегральные микросхемы 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции |
|
26 Малая интегральная микросхема
МИС
27 Средняя интегральная микросхема
СИС |
Интегральная микросхема, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включительно
Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 100 до 500 — для аналоговых интегральных микро- |
|
28 Большая интегральная микросхема
БИС |
схем
Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 500 для |
|
29 Сверхбольшая интегральная микросхема
СБИС |
аналоговых интегральных микросхем Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50 000 — для цифровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше 10 000 — для аналоговых интегральных микросхем
Примечание К цифровым интегральным микросхемам с регулярной структурой построения относят схемы запоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов
К цифровым интегральным микросхемам с нерегулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств |
|
30 Сверхскоростная интегральная микросхема
ССИС |
Цифровая интегральная микросхема, функциональное быстродействие которой не менее 1 1013 Гц/см2 на 1 логический элемент.
Примечание Под функциональным быстродействием понимают произведение рабочей частоты логического элемента, равной обратному учетверенному максимальному значению среднего времени задержки распространения сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла |
|
|
Продолжение табл. 1 |
|
Термин |
Определение |
|
31. Тип интегральной мик-росхемы |
Интегральная микросхема конкретного функционального назначения и определенного конст- |
|
32. Типономинал интегральной микросхемы |
руктивно-технологического и схемотехнического решения и имеющая свое условное обозначение Интегральная микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же ти- |
|
33. Серия интегральных микросхем
Серия
D. Baureihe der inte-grierten Schaltkreise |
па одним или несколькими параметрами и требованиями к внешним воздействующим факторам Совокупность типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной электрической и, при необходимости, информационной и программной совместимостью и предназначенных для совместного применения.
Примечание. В частном случае серию могут образовывать один или несколько типов микросхем, выполняющих одинаковые функции и отличающихся одним или несколькими электрическими параметрами |
|
34. Группа типов интегральных микросхем |
Совокупность типов интегральных микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметра- |
|
35. Микропроцессорная
интегральная микросхема
Микропроцессорная
микросхема
E. Microprocessor integrated circuit
F. Microprocesseur
a circuit integre
36. Микропроцессорный комплект интегральных микросхем
мпк |
ми
Интегральная микросхема, выполняющая функцию процессора или его части.
Примечание. Частным случаем является микропроцессорная секция
Совокупность микропроцессорных и других интегральных микросхем, совместимых по архитектуре, конструктивному исполнению и электрическим параметрам и обеспечивающих возможность совместного применения |
ГОСТ 17021-88 С. 8
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
|
Таблица 2 |
|
Термин |
Номер
термина |
|
Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интег- |
17 |
|
ральной микросхемы
Библиотека функциональных ячеек БИС |
17
28 |
|
БМК |
И |
|
Вывод |
20 |
|
Вывод бескорпуской интегральной микросхемы |
20
21 |
|
Вывод интегральной микросхемы свободный |
|
Вывод интегральной микросхемы неиспользуемый |
22 |
|
Вывод неиспользуемый |
22 |
|
Вывод свободный |
21 |
|
Группа типов интегральных микросхем |
34 |
|
Комплект интегральных микросхем микропроцессорный |
Зо |
|
Компонент |
3 |
|
Компонент интегральной микросхемы |
3 |
|
Кристалл |
12 |
|
Кристалл базовый |
13 |
|
Кристалл интегральной микросхемы |
12 |
|
Кристалл интегральной микросхемы базовый |
13 |
|
Корпус |
9 |
|
Корпус интегральной микросхемы |
9 |
|
Кристалл интегральной микросхемы базовый матричный |
14 |
|
Микросхема аналоговая |
7 |
|
Микросхема бескорпусная |
19 |
|
Микросхема гибридная |
б |
|
Микросхема интегральная |
1 |
|
Микросхема интегральная аналоговая |
7 |
|
Микросхема интегральная бескорпусная |
19 |
|
Микросхема интегральная большая |
28 |
|
Микросхема интегральная гибридная |
6 |
|
Микросхема интегральная К степени интеграции |
25 |
|
Микросхема интегральная малая |
2с |
|
Микросхема интегральная микропроцессорная |
35 |
|
Микросхема интегральная пленочная |
5 |
|
Микросхема интегральная полупроводниковая |
4 |
|
Микросхема интегральная сверхбольшая |
29 |
|
Микросхема интегральная сверхскоростная |
30 |
|
Микросхема интегральная средняя |
27 |
|
Микросхема интегральная цифровая |
8 |
|
Микросхема логическая |
8 |
|
Микросхема микропроцессорная |
35 |
|
Микросхема пленочная |
5 |
|
Микросхема полупроводниковая |
4 |
|
Микросхема цифровая |
8 |
|
МИС |
26 |
|
МПК |
36 |
|
Пластина |
11 |
|
Пластина полупроводниковая |
1! |
|
Плотность упаковки |
2} |
|
|
Продолжение табл. 2 |
|
Термин |
Номер
термина |
|
Плотность упаковки интегральной микросхемы |
23 |
|
Площадка интегральной микросхемы контактная |
18 |
|
Площадка контактная |
18 |
|
Подложка |
10 |
|
Подложка интегральной микросхемы |
10 |
|
СБИС |
29 |
|
Серия |
33 |
|
Серия интегральных микросхем |
33 |
|
СИС |
27 |
|
ССИС |
30 |
|
Степень интеграции |
24 |
|
Степень интеграции интегральной микросхемы |
24 |
|
Схема твердая |
4 |
|
Тип интегральной микросхемы |
31 |
|
Типономинал интегральной микросхемы |
32 |
|
Элемент |
2 |
|
Элемент интегральной микросхемы |
2 |
|
Ячейка базовая |
15 |
|
Ячейка базового кристалла интегральной микросхемы функ- |
16 |
|
циональная
Ячейка кристалла интегральной микросхемы базовая |
15 |
|
Ячейка функциональная |
16 |
|
АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на немецком языке
|
Таблица 3 |
|
Термин |
Номер
термина |
|
Analoger integrierter Schaltkreis |
7 |
|
Anschluss des gehauselosen integrierten Schaltkreises |
20 |
|
Bauelement des integrierten Schaltkreises |
3 |
|
Baureihe der integrierten Schaltkreise |
33 |
|
Chip des integrierten Schaltkreises |
12 |
|
Digitaler integrierter Schaltkreis |
8 |
|
Element des integrierten Schaltkreises |
2 |
|
Gehauseloser integrierter Schaltkreis |
19 |
|
Halbleiterscheibe |
11 |
|
Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises |
24 |
|
Integrierter Filmschaltkreis |
5 |
|
Integrierter Halbleiterschaltkreis |
4 |
|
Integrierter Hybridschaltkreis |
6 |
|
Integrierter Schaltkreis |
1 |
|
Kontaktflache des integrierten Schaltkreises |
18 |
|
Packungsdichte des integrierten Schaltkreises |
23 |
|
Schaltkreisgehause |
9 |
|
Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise |
10 |
|
